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NE856M02-T1-AZ

qualidade [#varpname#] fábrica

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NE856M02-T1-AZ

fabricante:

Renesas Electronics Corporation

Descrição:

O mesmo que 2SC5336 NPN SILICON AMPL

Pacote de dispositivos do fornecedor:

SOT-89

RFQ rápido

Em estoque:

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Detalhes do produto

Sr. Parte #:

NE856M02-T1-AZ

Atividades:

35000

Categoria de produtos:

Transistor - bipolares (BJT) - RF

Corrente - colector (Ic) (máximo):

100 mA

O aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce:

50 @ 20mA, 10V

Frequência - Transição:

6.5 GHz

Ganho:

12 dB

Tipo de montagem:

Montagem de superfície

Figura de ruído (dB Typ @ f):

10,8 dB @ 1 GHz

Temperatura de funcionamento:

150°C (TJ)

Embalagem / Caixa:

TO-243AA

Potência - Máximo:

1.2w

Estatuto do produto:

A última vez que comprei

Tipo de transistor:

NPN

Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):

12 V

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BLT50,115Ficha de dados

qualidade [#varpname#] fábrica

BFR93AR,215

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BFP420H6327XTSA1

Aplicações típicas Amplificadores de baixo ruído (LNAs): ideais para aplicações de front-end de RF em sistemas de comunicação. Osciladores: adequados para osciladores de até 10 GHz. Misturadores: utilizados em aplicações de mistura de frequência devido às suas características de alto ganho e baixo ruído.

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BFG93A/X,215

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