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2SK879-GR ((TE85L,F)

qualidade [#varpname#] fábrica

2SK879-GR ((TE85L,F)

fabricante:

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Descrição:

JFET N-CH 0.1W USM

Pacote de dispositivos do fornecedor:

USM

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Em estoque:

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Detalhes do produto

Sr. Parte #:

2SK879-GR ((TE85L,F)

Atividades:

6830

Categoria de produtos:

Transistores - JFETs

Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0):

20,6 mA @ 10 V

Tipo de FET:

N-canal

Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:

8.2pF @ 10V

Tipo de montagem:

Montagem de superfície

Temperatura de funcionamento:

125°C (TJ)

Embalagem / Caixa:

SC-70, SOT-323

Potência - Máximo:

100 mW

Estatuto do produto:

Atividade

Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @:

400 mV @ 100 nA

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