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2N5115E3

qualidade [#varpname#] fábrica

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2N5115E3

fabricante:

Tecnologia de microchip

Descrição:

JFET

Pacote de dispositivos do fornecedor:

TO-18 (TO-206AA)

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Em estoque:

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Detalhes do produto

Sr. Parte #:

2N5115E3

Atividades:

35000

Categoria de produtos:

Transistores - JFETs

Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0):

15 mA @ 15 V

Voltagem de saída para a fonte (Vdss):

30 V

Tipo de FET:

P-canal

Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:

25pF @ 15V

Tipo de montagem:

Através do Buraco

Temperatura de funcionamento:

-65°C ~ 200°C (TJ)

Embalagem / Caixa:

TO-206AA, metal TO-18-3 pode

Potência - Máximo:

500 mW

Estatuto do produto:

Atividade

Resistência - RDS (sobre):

100 Ohms

Tensão - divisão (V (BR) GSS):

30 V

Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @:

3 V @ 1 nA

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