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IMZC120R012M2HXKSA1
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IMZC120R012M2HXKSA1

fabricante:
Tecnologias Infineon
Descrição:
IMZC120R012M2HXKSA1
Pacote de dispositivos do fornecedor:
PG-TO247-4-17
RFQ rápido
Em estoque:
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Detalhes do produto
Série:
CoolSiC™
Tipo de FET:
N-canal
Tecnologia:
SiC (transistor de junção de carburo de silício)
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
1200 V
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:
129A (Tc)
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On):
15V, 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
12 mOhm @ 57A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id:
5.1V @ 17,8 mA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:
124 nC @ 18 V
Vgs (máximo):
+23V, -7V
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
4050 pF @ 800 V
Dissipação de poder (máxima):
480 W (Tc)
Descrição do produto

IMZC120R012M2HXKSA1-Ficha de dados

Aplicações típicas

- Perdas muito baixas.


- Operação de sobrecarga até Tvj= 200°C.


- Curto-circuito resistência de 2 μs.


- Diodo robusto para comutação.


- Tecnologia de interconexão XT para melhor desempenho térmico.

 

O IMZC120R012M2H é um MOSFET de carburo de silício (SiC) de canal N de 1200 V, 12 mΩ da Infineon Technologies, projetado para aplicações de alta eficiência e alta densidade de potência.

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