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IMZC120R012M2H

IMZC120R012M2H

fabricante:
Tecnologias Infineon
Descrição:
Ampla gama máxima de VGS de -10 V a +25 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
PG-TO247-4
RFQ rápido
Em estoque:
Por favor, envie uma pergunta, responderemos imediatamente. (*é obrigatório)
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Detalhes do produto
Benefícios:
Maior densidade de potência
Ciss:
4050 pF
Coss:
176 pF
ID (@ T)C= 25°C) máximo:
129 A
Ptot (@ T)A= 25°C) máximo:
480 W
Pin Count:
4 pinos
Polaridade:
N
Qg:
124 d.C.
Qgd:
34 nC
Qualificação:
Indústria
RDS (ligado) (@ Tj = 25°C):
12 mΩ
RthJA máximo:
62 K/W
RthJC max:
0.31 K/W
Tecnologia:
CoolSiCTM G2
VDS máx.:
1200 V
Nível da umidade:
NA
Descrição do produto

IMZC120R012M2H-Ficha de dados

Aplicações típicas

- Dispositivos de uso geral (GPD).


- Carregamento de veículos elétricos.


- Fornecimentos de energia ininterruptíveis (UPS) online.


- Otimizadores de energia solar.


- Inversores de cordas.


- Sistemas de armazenamento de energia (ESS).


- Equipamento de solda.

 

O IMZC120R012M2H é um MOSFET de carburo de silício (SiC) de canal N de 1200 V, 12 mΩ da Infineon Technologies, projetado para aplicações de alta eficiência e alta densidade de potência.

 

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