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IMZC120R022M2H

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IMZC120R022M2H

fabricante:

Tecnologias Infineon

Descrição:

Ampla gama máxima de VGS de -10 V a +25 V

Pacote de dispositivos do fornecedor:

PG-TO247-4

RFQ rápido

Em estoque:

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Detalhes do produto

Benefícios:

Maior densidade de potência

Ciss:

2330 pF

Coss:

100 PF

ID (@ T)_C= 25°C) máximo:

80A

Ptot (@ T)_A= 25°C) máximo:

329 W

Pin Count:

4 pinos

Polaridade:

N

Qg:

71 dC

Qgd:

19 nC

Qualificação:

Indústria

RDS (ligado) (@ Tj = 25°C):

22 mΩ

RthJA máximo:

62 K/W

RthJC max:

0.46 K/W

Tecnologia:

CoolSiCTM G2

VDS máx.:

1200 V

Nível da umidade:

NA

Descrição do produto

IMZC120R022M2H-Ficha de dados

OCoolSiCTM MOSFET discreto1200 V, 22 mΩ G2 em um pacote TO-247 4pin com alto deslizamento baseia-se nos pontos fortes da tecnologia da Geração 1 com uma melhoria significativa que fornece uma solução avançada para mais custo otimizado,sistema eficiente, compacto, fácil de conceber e fiável, melhorando o desempenho tanto no funcionamento de comutação dura como nas topologias de comutação suave para todas as combinações comuns de CA-CC, CC-CC,e estágios DC-AC.

Aplicações típicas

- Carregamento de veículos elétricos.
- Optimizadores de energia solar.
- Sistemas de armazenamento de energia.
- Equipamento de solda.

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IMZC120R078M2H-Ficha de dados OCoolSiCTM MOSFET discreto1200 V, 78 mΩ G2 em um pacote TO-247 4pin com alto deslizamento baseia-se nos pontos fortes da tecnologia da Geração 1 com uma melhoria significativa que fornece uma solução avançada para mais custo otimizado,sistema eficiente, compacto, fácil de conceber e fiável, melhorando o desempenho tanto no funcionamento de comutação dura como nas topologias de comutação suave para todas as combinações comuns de CA-CC, CC-CC,e estágios DC-AC. Aplicações típicas - Carregamento de veículos elétricos.- Optimizadores de energia solar.- Sistemas de armazenamento de energia.- Equipamento de solda.

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IMZC120R040M2H-Ficha de dados OCoolSiCTM MOSFET discreto1200 V, 40 mΩ G2 em um pacote TO-247 4pin com alto deslizamento baseia-se nos pontos fortes da tecnologia de geração 1 com uma melhoria significativa que fornece uma solução avançada para mais custo-otimizado,sistema eficiente, compacto, fácil de conceber e fiável, melhorando o desempenho tanto no funcionamento de comutação dura como nas topologias de comutação suave para todas as combinações comuns de CA-CC, CC-CC,e estágios DC-AC. Aplicações típicas - Carregamento de veículos elétricos.- Optimizadores de energia solar.- Sistemas de armazenamento de energia.- Equipamento de solda.

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IMZC120R034M2H-Ficha de dados OCoolSiCTM MOSFET discreto1200 V, 34 mΩ G2 em um pacote TO-247 4pin com alto deslizamento baseia-se nos pontos fortes da tecnologia da Geração 1 com uma melhoria significativa que fornece uma solução avançada para mais custo otimizado,sistema eficiente, compacto, fácil de conceber e fiável, melhorando o desempenho tanto no funcionamento de comutação dura como nas topologias de comutação suave para todas as combinações comuns de CA-CC, CC-CC,e estágios DC-AC. Aplicações típicas - Carregamento de veículos elétricos.- Optimizadores de energia solar.- Sistemas de armazenamento de energia.- Equipamento de solda.

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IMZC120R026M2H-Ficha de dados OCoolSiCTM MOSFET discreto1200 V, 26 mΩ G2 em um pacote TO-247 4pin com alto deslizamento baseia-se nos pontos fortes da tecnologia da Geração 1 com uma melhoria significativa que fornece uma solução avançada para um custo mais otimizado,sistema eficiente, compacto, fácil de conceber e fiável, melhorando o desempenho tanto no funcionamento de comutação dura como nas topologias de comutação suave para todas as combinações comuns de CA-CC, CC-CC,e estágios DC-AC. Aplicações típicas - Carregamento de veículos elétricos.- Optimizadores de energia solar.- Sistemas de armazenamento de energia.- Equipamento de solda.

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