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SSM6P35AFE, LF
qualidade [#varpname#] fábrica

SSM6P35AFE, LF

fabricante:
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrição:
MOSFET de sinal pequeno P-CH X 2 VDS
Pacote de dispositivos do fornecedor:
ES6
RFQ rápido
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Detalhes do produto
Sr. Parte #:
SSM6P35AFE, LF
Atividades:
15932
Categoria de produtos:
Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:
250 mA (Ta)
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
20 V
Característica do FET:
Porta de nível lógico, unidade de 1,2 V
Tipo de FET:
P-canal 2 (duplo)
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
42 pF @ 10V
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Temperatura de funcionamento:
150°C
Embalagem / Caixa:
SOT-563, SOT-666
Potência - Máximo:
150mW (Ta)
Estatuto do produto:
Atividade
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
1.4 Ohm @ 150 mA, 4,5 V
Vgs(th) (Max) @ Id:
1V @ 100µA
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