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SI2301CDS-T1-GE3

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SI2301CDS-T1-GE3

fabricante:

Vishay

Descrição:

MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3

Pacote de dispositivos do fornecedor:

SOT-23-3 (TO-236)

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Em estoque:

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Detalhes do produto

Sr. Parte #:

SI2301CDS-T1-GE3

Atividades:

104235

Categoria de produtos:

Transistor - FETs, MOSFETs - únicos

Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:

3.1A (Tc)

Voltagem de saída para a fonte (Vdss):

20 V

Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On):

2.5V, 4.5V

Tipo de FET:

P-canal

Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:

10 nC @ 4,5 V

Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:

405 pF @ 10 V

Tipo de montagem:

Montagem de superfície

Temperatura de funcionamento:

-55°C ~ 150°C (TJ)

Embalagem / Caixa:

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Dissipação de poder (máxima):

860 mW (Ta), 1,6 W (Tc)

Estatuto do produto:

Atividade

Rds On (Max) @ Id, Vgs:

112 mOhm @ 2.8A, 4.5V

Tecnologia:

MOSFET (óxido de metal)

Vgs (máximo):

±8V

Vgs(th) (Max) @ Id:

1V @ 250µA

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